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场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上做了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫做源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。在测电笔的另一头，是一个和一字改锥一样的东西，这一部分只能与被测物体接触，万不可与接触。测量时，用上述姿势握好电笔，用上述一字改锥部分接触被测物体。同时，要保证测量者的身体部分与大地接触（直接站在地上即可，如果穿了绝缘胶鞋或站在凳子上，需要用另一只手接触墙面）。测电压用测电笔测量电压，是电笔的Zui常用法。但是需要注意，测电笔只能测量线路中有无电压，无法判断电路的通断或电压大小（有电压肯定是通路，但没电压未必是断路）。
